SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究
文献类型:期刊论文
作者 | 李林1; 顾强1 |
刊名 | 核电子学与探测技术
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出版日期 | 2015 |
期号 | 2页码:180-184 |
关键词 | SLAC能量倍增器 3dB耦合器 RF脉冲压缩器 能量倍增因子 |
中文摘要 | 采用通用的非理想3d B耦合器散射矩阵进行模型完善。利用这一完善的模型对3d B误差进行了分析,研究了3d B耦合器误差对能量倍增器的倍增因子、输出信号峰值和反射信号峰值的影响。为制造和加工3d B耦合器的所允许的误差及其控制提供了理论参考。结果表明:功率分配不平衡误差及其相位关系偏差均可导致能量倍增因子的下降和部分功率发射回速调管。在能量倍增因子的平坦度要求控制在0.02%以内时,3d B耦合器的功率不平衡因子δ<0.035,相位偏差θ<10。 |
收录类别 | 其他 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2015-12-24 |
源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/24261] ![]() |
专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
作者单位 | 1.中国科学院上海应用物理研究所 2.中国科学院大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,顾强. SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究[J]. 核电子学与探测技术,2015(2):180-184. |
APA | 李林,&顾强.(2015).SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究.核电子学与探测技术(2),180-184. |
MLA | 李林,et al."SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究".核电子学与探测技术 .2(2015):180-184. |
入库方式: OAI收割
来源:上海应用物理研究所
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