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SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究

文献类型:期刊论文

作者李林1; 顾强1
刊名核电子学与探测技术
出版日期2015
期号2页码:180-184
关键词SLAC能量倍增器 3dB耦合器 RF脉冲压缩器 能量倍增因子
中文摘要采用通用的非理想3d B耦合器散射矩阵进行模型完善。利用这一完善的模型对3d B误差进行了分析,研究了3d B耦合器误差对能量倍增器的倍增因子、输出信号峰值和反射信号峰值的影响。为制造和加工3d B耦合器的所允许的误差及其控制提供了理论参考。结果表明:功率分配不平衡误差及其相位关系偏差均可导致能量倍增因子的下降和部分功率发射回速调管。在能量倍增因子的平坦度要求控制在0.02%以内时,3d B耦合器的功率不平衡因子δ<0.035,相位偏差θ<10。
收录类别其他
语种中文
公开日期2015-12-24
源URL[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/24261]  
专题上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年
作者单位1.中国科学院上海应用物理研究所
2.中国科学院大学
推荐引用方式
GB/T 7714
李林,顾强. SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究[J]. 核电子学与探测技术,2015(2):180-184.
APA 李林,&顾强.(2015).SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究.核电子学与探测技术(2),180-184.
MLA 李林,et al."SLED模型的完善和3dB耦合器性能研究".核电子学与探测技术 .2(2015):180-184.

入库方式: OAI收割

来源:上海应用物理研究所

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