中子皮厚度敏感探针研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 代智涛 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2015 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海应用物理研究所） |
| 导师 | 沈文庆 |
| 关键词 | 放射性核束 中子皮 IQMD t/3He产额比 同位素分布 同位旋标度 电荷改变截面 |
| 中文摘要 | 核半径和密度分布是原子核非常重要的基本特性之一。在放射性核束(RIB)出现之前,人们主要通过电子散射和质子散射的方法研究核密度分布,能研究的原子核也仅限于稳定核。随着20世纪80年代生产技术的发展,使得人们对于对于核密度分布的研究拓展到了非稳定核甚至达到了中子或质子滴线。1985年,I.Tanihata等人首次用放射性核束测量了一些轻核的相互作用截面,发现对于有些丰中子核存在中子晕或者中子皮结构。这一发现极大地推动了近几十年放射性核束的蓬勃发展。 对于远离β稳定线的丰中子核,中子数(N)明显大于质子数(Z),核表面的中子密度会明显高于质子,我们将其称之为中子皮。中子皮的厚度被定义为中子和... |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2015-12-24 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/24165]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 代智涛. 中子皮厚度敏感探针研究[D]. 中国科学院研究生院（上海应用物理研究所）. 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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