DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
文献类型：期刊论文
| 作者 | ZHU QS ; HIRAMATSU K ; SAWAKI N ; AKASAKI I ; LIU XN |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 76期号:11页码:7410-7414 |
| 关键词 | SEMICONDUCTORS DEFECTS VACANCY SILICON LEVEL LPE |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | zhu qs acad sinicainst semicondpob 912beijing 100083peoples r china |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13945]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHU QS,HIRAMATSU K,SAWAKI N,et al. DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP[J]. journal of applied physics,1994,76(11):7410-7414. |
| APA | ZHU QS,HIRAMATSU K,SAWAKI N,AKASAKI I,&LIU XN.(1994).DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP.journal of applied physics,76(11),7410-7414. |
| MLA | ZHU QS,et al."DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP".journal of applied physics 76.11(1994):7410-7414. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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