单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余永涛; 封国强; 上官士鹏; 陈睿; 韩建伟 |
| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 49期号:1页码:176-180 |
| 关键词 | 单粒子效应 敏感区定位 数据类型 翻转截面 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 其他题名 | Experimental Study on Pulsed Laser Single Event Upset Sensitivity Mapping |
| 中文摘要 | 利用脉冲激光单粒子翻转敏感区定位成像系统,对静态随机存储器件IDT71256开展了单粒子翻转敏感区定位的试验研究。为避开器件正面金属层对激光的阻挡,试验采用背面辐照方式进行测试。试验结果表明,存储单元中存储数据类型对器件单粒子翻转的敏感性有较大影响,由测得的单粒子翻转敏感区分布图经处理得到单粒子翻转截面,结果与重离子试验测得的翻转截面数据一致。 |
| 英文摘要 | The pulsed laser facility for single event upset(SEU)sensitivity mapping was utilized to study SEU sensitivity mapping of SRAM IDT71256.To avoid the block of the metal layer in the front side of integrated circuit,the backside testing method was used.The experiment results show that the SEU sensitivity of the SRAM cell depends on the pattern of data stored in the memory cell.The SEU sensitivity mapping could be used to construct the corresponding SEU cross section,which is validated by the heavy ion beam test result. |
| 收录类别 | EI ; CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5335356 |
| 源URL | [http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/4718]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余永涛,封国强,上官士鹏,等. 单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究[J]. 原子能科学技术,2015,49(1):176-180. |
| APA | 余永涛,封国强,上官士鹏,陈睿,&韩建伟.(2015).单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究.原子能科学技术,49(1),176-180. |
| MLA | 余永涛,et al."单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究".原子能科学技术 49.1(2015):176-180. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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