基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姜昱光; 封国强; 朱翔; 马英起; 上官士鹏; 余永涛; 韩建伟 |
| 刊名 | 原子能科学技术
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 47期号:12页码:2361-2364 |
| 关键词 | 二次光斑 脉冲激光 硅衬底 单粒子效应 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 其他题名 | Secondary Spot for Pulsed Laser SEE Testing |
| 中文摘要 | 脉冲激光可有效模拟重离子触发芯片的单粒子效应。本工作在应用背部激光试验方法辐照芯片时观察到了二次光斑现象,通过Si衬底和Si晶圆片研究了芯片单粒子效应实验中二次光斑的成因。实验结果表明,二次光斑主要是由于激光在芯片有源区附近的金属布线层反射形成的。通过测量芯片的Si衬底厚度以及激光触发芯片单粒子效应时的聚焦深度,实验验证了二次光斑是在金属布线层区域形成的。 |
| 英文摘要 | The pulsed laser is an effective method to simulate single event effect (SEE) induced by heavy ions.When the laser focused on the chip surface using the backside approach,the laser spot was observed.The experiment data of Si substrate and Si wafer show that the secondary spot is formed due to the reflection of metal layer,and it is verified by the thickness of Si substrate and the depth of laser focusing. |
| 收录类别 | EI ; CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5024158 |
| 源URL | [http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/5027]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜昱光,封国强,朱翔,等. 基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究[J]. 原子能科学技术,2013,47(12):2361-2364. |
| APA | 姜昱光.,封国强.,朱翔.,马英起.,上官士鹏.,...&韩建伟.(2013).基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究.原子能科学技术,47(12),2361-2364. |
| MLA | 姜昱光,et al."基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究".原子能科学技术 47.12(2013):2361-2364. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。