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DETERMINATION OF THE CONDUCTION-BAND OFFSET OF A SINGLE ALGAAS BARRIER LAYER USING DLTS

文献类型:期刊论文

作者ZHU QS ; MOU SM ; ZHOU XC ; ZHONG ZT
刊名superlattices and microstructures
出版日期1992
卷号12期号:2页码:163-166
关键词QUANTUM WELLS HETEROSTRUCTURES SPECTROSCOPY GAAS
ISSN号0749-6036
通讯作者zhu qs acad sinicainst semicondbeijing 100083peoples r china
学科主题半导体材料
收录类别SCI
语种英语
公开日期2010-11-15
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14155]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
ZHU QS,MOU SM,ZHOU XC,et al. DETERMINATION OF THE CONDUCTION-BAND OFFSET OF A SINGLE ALGAAS BARRIER LAYER USING DLTS[J]. superlattices and microstructures,1992,12(2):163-166.
APA ZHU QS,MOU SM,ZHOU XC,&ZHONG ZT.(1992).DETERMINATION OF THE CONDUCTION-BAND OFFSET OF A SINGLE ALGAAS BARRIER LAYER USING DLTS.superlattices and microstructures,12(2),163-166.
MLA ZHU QS,et al."DETERMINATION OF THE CONDUCTION-BAND OFFSET OF A SINGLE ALGAAS BARRIER LAYER USING DLTS".superlattices and microstructures 12.2(1992):163-166.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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