STUDY OF THE QUALITY OF GAAS THIN-FILM ON SI SUBSTRATE BY X-RAY-DIFFRACTION METHOD
文献类型：期刊论文
| 作者 | LI CR ; MAI ZH ; CUI SF ; ZHOU JM ; WANG YT |
| 刊名 | chinese physics letters
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 7期号:7页码:308-311 |
| ISSN号 | 0256-307x |
| 通讯作者 | li cr acad sinicainst physbeijing 100080peoples r china |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14371]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LI CR,MAI ZH,CUI SF,et al. STUDY OF THE QUALITY OF GAAS THIN-FILM ON SI SUBSTRATE BY X-RAY-DIFFRACTION METHOD[J]. chinese physics letters,1990,7(7):308-311. |
| APA | LI CR,MAI ZH,CUI SF,ZHOU JM,&WANG YT.(1990).STUDY OF THE QUALITY OF GAAS THIN-FILM ON SI SUBSTRATE BY X-RAY-DIFFRACTION METHOD.chinese physics letters,7(7),308-311. |
| MLA | LI CR,et al."STUDY OF THE QUALITY OF GAAS THIN-FILM ON SI SUBSTRATE BY X-RAY-DIFFRACTION METHOD".chinese physics letters 7.7(1990):308-311. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。