HIGH-PRESSURE BEHAVIOR OF ELECTRONIC STATES IN GAAS/GA1-XALXAS MULTIPLE QUANTUM-WELLS
文献类型：期刊论文
| 作者 | WANG LJ ; JIA WY ; TANG RM ; WANG YY ; ZHOU JM ; GE WK ; WANG BS |
| 刊名 | superlattices and microstructures
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 7期号:2页码:175-178 |
| ISSN号 | 0749-6036 |
| 通讯作者 | wang lj chinese acad sciinst physbeijingpeoples r china |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14375]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WANG LJ,JIA WY,TANG RM,et al. HIGH-PRESSURE BEHAVIOR OF ELECTRONIC STATES IN GAAS/GA1-XALXAS MULTIPLE QUANTUM-WELLS[J]. superlattices and microstructures,1990,7(2):175-178. |
| APA | WANG LJ.,JIA WY.,TANG RM.,WANG YY.,ZHOU JM.,...&WANG BS.(1990).HIGH-PRESSURE BEHAVIOR OF ELECTRONIC STATES IN GAAS/GA1-XALXAS MULTIPLE QUANTUM-WELLS.superlattices and microstructures,7(2),175-178. |
| MLA | WANG LJ,et al."HIGH-PRESSURE BEHAVIOR OF ELECTRONIC STATES IN GAAS/GA1-XALXAS MULTIPLE QUANTUM-WELLS".superlattices and microstructures 7.2(1990):175-178. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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