ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF GAAS GROWN FROM THE MELT IN A REDUCED-GRAVITY ENVIRONMENT
文献类型：期刊论文
| 作者 | WANG ZG ; LI CJ ; CAO FN ; SHI ZW ; ZHOU BJ ; ZHONG XR ; WAN SK ; XU SD ; LIN LY |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 卷号 | 67期号:3页码:1521-1524 |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | wang zg chinese acad sciinst semicondbox 912100083 beijingpeoples r china |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14433]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WANG ZG,LI CJ,CAO FN,et al. ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF GAAS GROWN FROM THE MELT IN A REDUCED-GRAVITY ENVIRONMENT[J]. journal of applied physics,1990,67(3):1521-1524. |
| APA | WANG ZG.,LI CJ.,CAO FN.,SHI ZW.,ZHOU BJ.,...&LIN LY.(1990).ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF GAAS GROWN FROM THE MELT IN A REDUCED-GRAVITY ENVIRONMENT.journal of applied physics,67(3),1521-1524. |
| MLA | WANG ZG,et al."ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF GAAS GROWN FROM THE MELT IN A REDUCED-GRAVITY ENVIRONMENT".journal of applied physics 67.3(1990):1521-1524. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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