中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS

文献类型:期刊论文

作者FANG ZQ ; SHAN L ; SCHLESINGER TE ; MILNES AG
刊名solid-state electronics
出版日期1989
卷号32期号:5页码:405-411
ISSN号0038-1101
通讯作者fang zq carnegie mellon univdept elect & comp engnpittsburghpa 15213
学科主题半导体器件
收录类别SCI
语种英语
公开日期2010-11-15
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14493]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
FANG ZQ,SHAN L,SCHLESINGER TE,et al. PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS[J]. solid-state electronics,1989,32(5):405-411.
APA FANG ZQ,SHAN L,SCHLESINGER TE,&MILNES AG.(1989).PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS.solid-state electronics,32(5),405-411.
MLA FANG ZQ,et al."PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS".solid-state electronics 32.5(1989):405-411.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。