PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS
文献类型：期刊论文
| 作者 | FANG ZQ ; SHAN L ; SCHLESINGER TE ; MILNES AG |
| 刊名 | solid-state electronics
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 32期号:5页码:405-411 |
| ISSN号 | 0038-1101 |
| 通讯作者 | fang zq carnegie mellon univdept elect & comp engnpittsburghpa 15213 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14493]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FANG ZQ,SHAN L,SCHLESINGER TE,et al. PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS[J]. solid-state electronics,1989,32(5):405-411. |
| APA | FANG ZQ,SHAN L,SCHLESINGER TE,&MILNES AG.(1989).PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS.solid-state electronics,32(5),405-411. |
| MLA | FANG ZQ,et al."PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS".solid-state electronics 32.5(1989):405-411. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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