PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS
文献类型:期刊论文
作者 | FANG ZQ ; SHAN L ; SCHLESINGER TE ; MILNES AG |
刊名 | solid-state electronics
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出版日期 | 1989 |
卷号 | 32期号:5页码:405-411 |
ISSN号 | 0038-1101 |
通讯作者 | fang zq carnegie mellon univdept elect & comp engnpittsburghpa 15213 |
学科主题 | 半导体器件 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2010-11-15 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14493] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | FANG ZQ,SHAN L,SCHLESINGER TE,et al. PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS[J]. solid-state electronics,1989,32(5):405-411. |
APA | FANG ZQ,SHAN L,SCHLESINGER TE,&MILNES AG.(1989).PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS.solid-state electronics,32(5),405-411. |
MLA | FANG ZQ,et al."PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS".solid-state electronics 32.5(1989):405-411. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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