PHOTOLUMINESCENCE OF THE RESIDUAL SHALLOW ACCEPTOR IN INXGA1-XAS GROWN ON GAAS(001) BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
文献类型：期刊论文
| 作者 | XU ZY ; XU JZ ; ANDERSSON TG ; CHEN ZG |
| 刊名 | solid state communications
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 70期号:5页码:505-509 |
| ISSN号 | 0038-1098 |
| 通讯作者 | xu zy chinese acad sciinst semicondpob 912beijingpeoples r china |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14497]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | XU ZY,XU JZ,ANDERSSON TG,et al. PHOTOLUMINESCENCE OF THE RESIDUAL SHALLOW ACCEPTOR IN INXGA1-XAS GROWN ON GAAS(001) BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY[J]. solid state communications,1989,70(5):505-509. |
| APA | XU ZY,XU JZ,ANDERSSON TG,&CHEN ZG.(1989).PHOTOLUMINESCENCE OF THE RESIDUAL SHALLOW ACCEPTOR IN INXGA1-XAS GROWN ON GAAS(001) BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY.solid state communications,70(5),505-509. |
| MLA | XU ZY,et al."PHOTOLUMINESCENCE OF THE RESIDUAL SHALLOW ACCEPTOR IN INXGA1-XAS GROWN ON GAAS(001) BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY".solid state communications 70.5(1989):505-509. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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