PROPERTIES OF SOI STRUCTURES FORMED BY HIGH-DOSE OXYGEN IMPLANTATION INTO SILICON
文献类型：期刊论文
| 作者 | LU DT ; LU WX ; WANG ZL ; DU YC ; ZHENG HD ; MO D ; LIANG ZN |
| 刊名 | vacuum
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 39期号:0页码:219-221 |
| ISSN号 | 0042-207x |
| 通讯作者 | lu dt beijing normal univinst low energy nucl physbeijingpeoples r china |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14501]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LU DT,LU WX,WANG ZL,et al. PROPERTIES OF SOI STRUCTURES FORMED BY HIGH-DOSE OXYGEN IMPLANTATION INTO SILICON[J]. vacuum,1989,39(0):219-221. |
| APA | LU DT.,LU WX.,WANG ZL.,DU YC.,ZHENG HD.,...&LIANG ZN.(1989).PROPERTIES OF SOI STRUCTURES FORMED BY HIGH-DOSE OXYGEN IMPLANTATION INTO SILICON.vacuum,39(0),219-221. |
| MLA | LU DT,et al."PROPERTIES OF SOI STRUCTURES FORMED BY HIGH-DOSE OXYGEN IMPLANTATION INTO SILICON".vacuum 39.0(1989):219-221. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。