HOT CARRIER PHOTOLUMINESCENCE FROM STRAINED INXGA1-XAS/GAAS SINGLE QUANTUM WELLS
文献类型：期刊论文
| 作者 | ANDERSSON TG ; CHEN ZG ; XU ZY ; XU JZ ; GE WK |
| 刊名 | journal of crystal growth
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 卷号 | 95期号:0页码:215-219 |
| ISSN号 | 0022-0248 |
| 通讯作者 | andersson tg chalmers univ technoldept physs-41296 gothenburgsweden |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14517]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ANDERSSON TG,CHEN ZG,XU ZY,et al. HOT CARRIER PHOTOLUMINESCENCE FROM STRAINED INXGA1-XAS/GAAS SINGLE QUANTUM WELLS[J]. journal of crystal growth,1989,95(0):215-219. |
| APA | ANDERSSON TG,CHEN ZG,XU ZY,XU JZ,&GE WK.(1989).HOT CARRIER PHOTOLUMINESCENCE FROM STRAINED INXGA1-XAS/GAAS SINGLE QUANTUM WELLS.journal of crystal growth,95(0),215-219. |
| MLA | ANDERSSON TG,et al."HOT CARRIER PHOTOLUMINESCENCE FROM STRAINED INXGA1-XAS/GAAS SINGLE QUANTUM WELLS".journal of crystal growth 95.0(1989):215-219. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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