硕士论文-X射线反射方法研究-δ掺杂半导体中掺杂原子的深度分布及热稳定性
文献类型：学位论文
| 作者 | 贾全杰
|
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1998 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 姜晓明 |
| 关键词 | 同步辐射 低角反射 δ掺杂半导体 分子束外延 杂质分布 |
| 学位专业 | 原子核物理 |
| 中文摘要 | Si中δ掺杂Sb是一种新型的半导体材料，具有独特的光电特性，有极其广阔的应用前景。但由于Sb原子在Si分子束外延生长过程中具有极强的表现偏析特性，寻找比较合适的外延生长温度是十分必要的，并且，应用于制作元器件的目的，材料的热稳定性问题也是人们所关心的。X射线低角反射技术是进行表面材料结构表征的有效手段，它与常规的表现杂质成分分布探测手段如二次离子质谱、Rutherford背散射以及中能离子散射等比较有较高的空间分辨。本文在X射线运动学理论基础上，编制了由反射率曲线求解原子分布的GTM曲线拟合程序和数据模拟程序，初步建立了低角反射技术的数据分析方法，并利用BSRF的高亮度同步光，实验测定了不同外延生长温度下制备的系列Si晶体中掺Sb的δ掺杂样品的反射率曲线，通过数据分析处理，得到了这类样品中杂质原子的分布模式和各种样品中杂质Sb原子的具体分布情况，由此获得了样品的最佳外延生长温度；同时，结合不同温度下退火样品的实验结果，分析和讨论了这种δ掺杂样品的热稳定性问题；最后，通过X射线高角衍射实验及对其进行的动力学模拟分析，从杂质引起的应变分布的角度进一步验证了低角反射技术获得的结果。 |
| 学科主题 | 原子核物理 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/209638]  |
| 专题 | 多学科研究中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾全杰. 硕士论文-X射线反射方法研究-δ掺杂半导体中掺杂原子的深度分布及热稳定性[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 1998. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。