博士论文-MBE生长高K Er2O3薄膜的微结构研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 薛宪营 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 姜晓明 |
| 关键词 | 分子束外延 Er2O3薄膜 应变 晶粒尺寸 双畴结构 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 中文摘要 | 利用分子束外延（MBE）技术，在不同条件下生长了高K Er2O3薄膜。利用反射高能电子衍射（RHEED）、高分辨X射线衍射（HRXRD）、X射线反射率（XRR）和原子力显微镜（AFM）技术，研究了Er2O3薄膜的生长质量，结果表明，在薄膜的生长过程中，表面氧化的Si（111）和Si（001）衬底有利于抑制Er2O3薄膜中铒的硅化物的生成。; 利用掠入射X射线衍射（GIXRD）技术表征了表面氧化 Si（111）衬底上MBE生长的Er2O3薄膜的微结构，得到如下微结构信息：1）Er2O3/Si（111）系统中薄膜与衬底之间的外延取向关系。2）GIXRD衍射图谱上膜峰的宽化主要由晶粒宽化贡献。3）薄膜内部生长面法线方向上的应变是不均匀的。; 氧压为7×10-6Torr、不同温度下在Si（001）衬底上生长的Er2O3薄膜的微结构测试结果表明，两种薄膜均为双畴结构。根据霍尔法的Scherrer方程得到了两种薄膜中特定方向上的晶粒尺寸。700oC时生长的样品中的相互垂直的两种畴仅在[001]方向上存在张应变；改变掠入射角的GIXRD实验结果表明，垂直于薄膜生长方向上的应变是不均匀的。800oC时生长的Er2O3薄膜的GIXRD图谱中除了出现双畴衍射峰之外，同时出现了杂质的衍射峰，双畴的[001]和[1-10]方向上均存在张应变，数值大于700oC时生长的Er2O3薄膜中的应变。 |
| 学科主题 | 凝聚态物理 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/209640]  |
| 专题 | 多学科研究中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛宪营. 博士论文-MBE生长高K Er2O3薄膜的微结构研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2007. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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