硕士论文-用同步辐射X射线荧光微区分析技术研究单晶硅中掺杂元素的分析
文献类型：学位论文
| 作者 | 吴强 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1993 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 刘亚雯 ; 李道伦 |
| 关键词 | 同步辐射 X射线荧光微探针 杂质 半导体材料 晶体生长 生长界面 |
| 学位专业 | 核技术应用 |
| 中文摘要 | 本工作利用北京正负电子对撞机同步辐射装置X射线荧光微探针设备分析了掺杂砷元素的单晶硅材料头部和尾部横剖切面上杂质As的分布均匀性，绘制了杂质As的二维定性分布图；以四探针法的测量结果为依据制作了标准工作曲线，定量分析了单晶硅尾部杂质As的含量，给出了As的二维浓度分布图，并以二次离子质谱法的测量结果检验了四探针法的标准工作曲线，取得了一致的结果。实验结果表明杂质As在单晶硅横剖面上分布是不均匀的，在头部呈Ω形分布，尾部呈M形分布。本工作对掺杂锗元素的单晶硅头部及尾部进行了微区扫描，绘制了杂质Ge在单晶硅头部及尾实的定性分布图。本工作还利用基本参数法，通过自己编制的程序对单晶硅尾部一点掺杂元素锗的含量进行了分析。 |
| 学科主题 | 核技术应用 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/209780]  |
| 专题 | 多学科研究中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴强. 硕士论文-用同步辐射X射线荧光微区分析技术研究单晶硅中掺杂元素的分析[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 1993. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。