ALGAAS GAAS TJS LASER-DIODES FABRICATED ON SI SUBSTRATES BY MOCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | HU XW ; SAKAI S ; SOGA T ; UMENO M |
| 刊名 | journal of luminescence
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 卷号 | 40-41期号:0页码:814-815 |
| ISSN号 | 0022-2313 |
| 通讯作者 | hu xw chinese acad sciinst semicondbeijingpeoples r china |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14609]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HU XW,SAKAI S,SOGA T,et al. ALGAAS GAAS TJS LASER-DIODES FABRICATED ON SI SUBSTRATES BY MOCVD[J]. journal of luminescence,1988,40-41(0):814-815. |
| APA | HU XW,SAKAI S,SOGA T,&UMENO M.(1988).ALGAAS GAAS TJS LASER-DIODES FABRICATED ON SI SUBSTRATES BY MOCVD.journal of luminescence,40-41(0),814-815. |
| MLA | HU XW,et al."ALGAAS GAAS TJS LASER-DIODES FABRICATED ON SI SUBSTRATES BY MOCVD".journal of luminescence 40-41.0(1988):814-815. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。