硕士论文-硅纳米柱阵列结构的光学特性理论分析和工艺研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 廖元勋 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 伊福廷 |
| 关键词 | 氯化铯 硅纳米柱 反应离子刻蚀 时域有限差分法 |
| 学位专业 | 光学 |
| 中文摘要 | 近些年来，硅纳米柱阵列因其某些优异性能在许多领域得到了广泛关注，比如高密度存储，传感器，微机械，场发射，锂电池等。特别是在太阳能电池领域，硅纳米柱阵列对太阳光谱具有很强的散射和减反射作用，这对太阳能电池而言有着很好的应用潜力；而且硅纳米线光电池已成为当前的研究热点。本文从硅纳米柱在太阳能电池中的应用出发，利用二维时域有限差分法（FDTD），计算了硅纳米柱阵列的光学特性，从理论上详细研究了硅纳米柱阵列光学减反和散射机理。纳米柱结构的散射能力很强，直径100nm以下的结构能散射90%以上的入射光；反射机制主要由布拉格反射决定，反射率呈现周期性变化，同时受散射影响，周期在四分之一波长附近浮动，而且强散射导致反射率对入射角不敏感，此外对整个太阳光谱而言最小反射率可以低于10%。本文还利用氯化铯(CsCl)纳米岛光刻技术开展了硅纳米柱阵列制备的工艺研究，包括氯化铯纳米岛结构自组装生长，以氯化铯纳米岛结构作为掩模的硅纳米柱阵列的反应离子刻蚀(RIE)制备。通过大量的试验探索，优化了反应气体组合，反应气体流速，刻蚀功率和时间等参数，成功地在当前设备条件下实现了高宽比接近2:1的纳米柱状阵列结构的制备。 |
| 学科主题 | 光学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/210407]  |
| 专题 | 多学科研究中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖元勋. 硕士论文-硅纳米柱阵列结构的光学特性理论分析和工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2009. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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