博士后出站报告-阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究及微量元素价态的离子荧光法初探
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘健 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1999 |
| 导师 | 叶铭汉 ; 魏龙 |
| 关键词 | 多孔硅 正电子湮没 扫描电子显微镜 离子荧光 离子注入 自由电子激光 |
| 学位专业 | 粒子物理与原子核物理 |
| 中文摘要 | 第一部分：利用正电子湮没实验和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅。正电子湮没实验表明：随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大，说明空位缺陷增多。Doppler参数值S／W随阳极氧化时间的延长而增加的实验结果也说明：随着阳极氧化时间的延长空位缺陷增多。利用扫描电子显微镜对同一样品进行了不同阳极氧化时间下的形貌观察。结果表明：表面有两个完全不同的区域。其中一个为不规则形貌区；另一个为表面形貌较为规则的形貌区。不规则区的物质从图上看覆盖在规则区的上面。根据前人的研究结果，这种不规则物很可能是非晶硅。根据分析：表面的不规则物的形成及其演变与样品的初始状态有关。这种联系很可能说明多孔硅的形成与表面的状况有密切关系。在经过长达60分钟的阳极氧化后，在规则形貌区观察到部分单晶球脱离后形成的尺寸几微米的坑。空位缺陷增多有两种方式。一种是随着阳极氧化时间的延长，多孔硅结构向内层延伸的同时，空位缺陷增多；另一种方式是表面层的微缺陷浓度增大。正电子湮没寿命谱和Doppler展宽实验以及扫描电子显微镜观察结果不排除任何一种可能性。第二部分：离子荧光法是在离子束激发样品的特征X射线进行定量分析的过程中，利用外壳层电子的激发、跃迁发射反映价态信息的光谱来获得化学价态的信息，希望能够进行微量元素化学价态定量分析。离子荧光法目前尚未完全发展成熟，成为一种有效的化学价态分析手段，其中原因较多。但最主要的有离子束激发荧光的机制以及离子束诱发的缺陷引起的周围原子化学价态的变化尚不清楚。难以建立简单、有效的模型，并由此发展价态定量计算分析程序，最终获得价态的定量信息。特别是对微量元素的化学价态的定量分析。由于探测元素的含量很少，一些因素对所要获得的信息影响相对更加显著。本文对一些影响测量的因素，如样品的冷却、损伤效应、定量分析及荧光机理问题、外束问题等进行了讨论。第三部分：本实验拟通过研究在相同激光波长不同功率下GaN分子的沉积以及在相同功率不同波长下GaN分子的沉积状况，对沉积机理问题进行探讨。在自由电子激光沉积后的样品中，氮和嫁的化学配比有可能不理想，希望采用离子注入的方法对原子配比进行补偿。一方面可以获得较好的GaN薄膜样品；另一方面，根据采用离子注入方法样品的改性结果对激光沉积工艺及条件提供有益的帮助。本实验初步完成了实验设计和加工。此项目仍在继续。 |
| 学科主题 | 粒子物理与原子核物理 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/210705]  |
| 专题 | 多学科研究中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘健. 博士后出站报告-阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究及微量元素价态的离子荧光法初探[D]. 1999. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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