正电子湮灭辐射多普勒加宽谱的测定
文献类型:期刊论文
作者 | 范钦敏; 王蕴玉 |
刊名 | 核技术
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出版日期 | 1980 |
期号 | 1页码:44-45 |
关键词 | 小型计算机 固体物理 全能峰 光子能谱 最小二乘分析 本工 高分辨率 谱形 电子结构 拟合曲线 |
通讯作者 | 范钦敏 |
中文摘要 | 一、引言 在电子-正电子湮灭中,由于质心的运动,在实验室系中测得的511keV湮灭光子能谱会有一个多普勒加宽。同时,在湮灭时由于正电子已接近于热化状态,其动量与电子动量相比可以忽略,因此,多普勒加宽谱实际上表征了与正电子发生湮灭的电子的动量分布。由于这类分布与材料的电子结构以及各种缺陷都有密切的联系,因此,近年来,湮灭多普勒加宽谱的测定方法已开始在固体物理研究中有了实际的应用。 本工作用高分辨率的Ge(Li)谱仪,对正电子在几种金属中的多普勒加宽谱进行了实验测定。根据所测得的全能峰的谱形,应用最小二乘分析法,在PDP-11小型计算机上进行了实验数据的拟合,由此给出了 |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220628] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 范钦敏,王蕴玉. 正电子湮灭辐射多普勒加宽谱的测定[J]. 核技术,1980(1):44-45. |
APA | 范钦敏,&王蕴玉.(1980).正电子湮灭辐射多普勒加宽谱的测定.核技术(1),44-45. |
MLA | 范钦敏,et al."正电子湮灭辐射多普勒加宽谱的测定".核技术 .1(1980):44-45. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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