Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏成连; 董玉兰; 高之纬 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1980 |
| 期号 | 9页码:1222-1225 |
| 关键词 | 堵塞效应 Si{111 沟道效应 径迹探测器 背散射 密度计 α粒子 静电加速器 靶室 小坑 |
| 其他题名 | A NEW PHENOMENON ABOUT THE (111) PLANAR PARTICLES BLOCKING DIP IN SINGLE CRYSTAL Si |
| 通讯作者 | 魏成连 |
| 中文摘要 | 本文报道了从粒子背散射堵塞效应的实验中所发现的单晶Si的{111}晶面粒子堵塞坑的新现象。单晶Si的{111}晶面有两个面间距d_(111)~(a)和d_(111)~(b),而{110}晶面只有一个面间距d(110)。由此导致两者的堵塞坑是不同的,我们已从α粒子和质子的Si单晶堵塞效应的实验得到了证实。并由此估计了d_(111)~(a)和d_(111)~(b)以及d_(110)的2ψ1/2角。据作者了解,到目前为止,国内外还没有人发现此现象。此现象的发现对复杂晶体的堵塞和沟道效应的研究开阔了前景。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220633]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏成连,董玉兰,高之纬. Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象[J]. 物理学报,1980(9):1222-1225. |
| APA | 魏成连,董玉兰,&高之纬.(1980).Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象.物理学报(9),1222-1225. |
| MLA | 魏成连,et al."Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象".物理学报 .9(1980):1222-1225. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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