FORMATION OF SILICIDES IN THE TI, TI(OX)/SI(111), AND TISIO2/SI(111) SYSTEMS
文献类型：期刊论文
| 作者 | HSU CC ; WANG YX ; YIN SD ; LI BQ ; JI MR ; WU JX |
| 刊名 | journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 卷号 | 5期号:4页码:1402-1406 |
| ISSN号 | 0734-2101 |
| 通讯作者 | hsu cc chinese acad sciinst semicondpob 912beijingpeoples r china |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14647]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HSU CC,WANG YX,YIN SD,et al. FORMATION OF SILICIDES IN THE TI, TI(OX)/SI(111), AND TISIO2/SI(111) SYSTEMS[J]. journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films,1987,5(4):1402-1406. |
| APA | HSU CC,WANG YX,YIN SD,LI BQ,JI MR,&WU JX.(1987).FORMATION OF SILICIDES IN THE TI, TI(OX)/SI(111), AND TISIO2/SI(111) SYSTEMS.journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films,5(4),1402-1406. |
| MLA | HSU CC,et al."FORMATION OF SILICIDES IN THE TI, TI(OX)/SI(111), AND TISIO2/SI(111) SYSTEMS".journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films 5.4(1987):1402-1406. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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