用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区
文献类型：期刊论文
| 作者 | 季国坤; 刘年庆; 王淑英; 姜健; 熊良钺; 龙期威 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 6页码:677-681 |
| 关键词 | 塑性区 缺口试样 断裂问题 密度分布 应力强度因子 断裂研究 电子密度 弹性区 电火花线切割机 能量分辨 |
| 其他题名 | AN INVESTIGATION OF THE PLASTIC ZONE IN THE VICINITY OF THE CRADK-TIP BY POSITRON ANNIHILTION |
| 通讯作者 | 季国坤 |
| 中文摘要 | 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220653]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季国坤,刘年庆,王淑英,等. 用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区[J]. 金属学报,1981(6):677-681. |
| APA | 季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,&龙期威.(1981).用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区.金属学报(6),677-681. |
| MLA | 季国坤,et al."用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区".金属学报 .6(1981):677-681. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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