氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 季国坤; 黄懋容; 刘年庆 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 6页码:66-68 |
| 关键词 | 硅单晶 中子辐照 参数表示 晶体生长过程 总计数 间隙原子 用正 加热处理 化学抛光 机械抛光 |
| 其他题名 | MEASUREMENT OF POSITRON ANNIHILATION PARAMETERS IN HYDROGEN FLOAT ZONED SILICON SINGLE CRYSTALS |
| 通讯作者 | 季国坤 |
| 中文摘要 | 国外用正电子湮灭技术对电子、质子、中子辐照过的硅单晶进行了研究。证明辐照过的硅单晶都产生缺陷,这些缺陷都能捕获正电子,引起正电子湮灭寿命谱的变化。 国产的一种硅单晶是在氢气氛中生长的,在生长过程中有氢气进入,在这种硅单晶中有硅氢键存在,当 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220684]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季国坤,黄懋容,刘年庆. 氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量[J]. 核技术,1982(6):66-68. |
| APA | 季国坤,黄懋容,&刘年庆.(1982).氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量.核技术(6),66-68. |
| MLA | 季国坤,et al."氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量".核技术 .6(1982):66-68. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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