用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨
文献类型:期刊论文
作者 | 殷定贞; 顾华 |
刊名 | 核技术
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出版日期 | 1982 |
期号 | 6页码:61-63 |
关键词 | 正电子素 角关联 AlH_3 MgH_2 金属氢化物 AIH 金属键 禁带 离子晶体 分子密度 |
其他题名 | THE STUDY OF THE BOND TYPE IN MgH2 AND AlH3 BY POSITRON ANNIHILATION |
通讯作者 | 殷定贞 |
中文摘要 | 近年来,有可能成为新能源材料的金属氢化物受到了广泛重视。不少工作表明,正电子湮灭技术对研究它们的化学结构等问题是一个有价值的方法。1968年,A.Gainotti等测定了一系列金属氢化物的正电子湮灭寿命谱,观察到湮灭速度Γ_1和Γ_2与分子密度有线性关系。苏联等用寿命谱和角关联方法研究了BeH_2和AIH_5的化学键性质。他们在BeH_2的角关联曲线中观察到窄成份,认为是形成了正电子素,并提出离子晶体一般具有较宽的禁带,易形成正电子素,因此BeH_2是离子键,不形成正电子素的AIH_3是 |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220696] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷定贞,顾华. 用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨[J]. 核技术,1982(6):61-63. |
APA | 殷定贞,&顾华.(1982).用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨.核技术(6),61-63. |
MLA | 殷定贞,et al."用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨".核技术 .6(1982):61-63. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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