用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 殷士端; 张敬平; 顾铨; 钟士谦; 王振明; 谢葆珍; 刘世杰 |
| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 1页码:31-36 |
| 关键词 | 浓度分布 背散射 退火温度 退火条件 高斯分布 注入剂量 晶向偏离 退火过程 热扩散 微波晶体管 |
| 中文摘要 | 将能量为150KeV、剂量为10~(14)～17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用～1.8MeV的He~+束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10~6离子/cm~2时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220755]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷士端,张敬平,顾铨,等. 用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布[J]. 微细加工技术,1983(1):31-36. |
| APA | 殷士端.,张敬平.,顾铨.,钟士谦.,王振明.,...&刘世杰.(1983).用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布.微细加工技术(1),31-36. |
| MLA | 殷士端,et al."用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布".微细加工技术 .1(1983):31-36. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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