电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王少阶; 张天保; 王蕴玉 |
| 刊名 | 武汉大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 2页码:39-46 |
| 关键词 | 电子偶素 短寿命 能量分辨率 轻子 三重态 闪烁体 量子电动力学 自由体积 相对强度 时间分辨率 |
| 其他题名 | FORMATION AND ANNIHILATION OF POSITRONIUM IN SILICA AEROGEL |
| 中文摘要 | 研究了由放射源~(22)Na发出的正电子射入气凝硅胶样品后电子偶素在其中的形成。用β~+-γ和γ-γ符合两种方法测量了样品在大气、真空、氮气和氧气气氛中的正电子寿命谱。由测量结果推算出在大气和真空条件下,入射到气凝硅胶样品中的正电子有约35%—40%能形成电子偶素。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220756]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王少阶,张天保,王蕴玉. 电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没[J]. 武汉大学学报(自然科学版),1983(2):39-46. |
| APA | 王少阶,张天保,&王蕴玉.(1983).电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没.武汉大学学报(自然科学版)(2),39-46. |
| MLA | 王少阶,et al."电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没".武汉大学学报(自然科学版) .2(1983):39-46. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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