INTERFACE REACTIONS AND VACUUM ANNEALING EFFECTS OF MBE AL/GAAS
文献类型：期刊论文
| 作者 | ZHONG ZT ; CHEN ZG ; XING YR ; SUN DZ ; SHEN GG |
| 刊名 | chinese physics
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 卷号 | 6期号:4页码:1056-1061 |
| ISSN号 | 0273-429x |
| 通讯作者 | zhong zt chinese acad sciinst semicondbeijingpeoples r china |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14673]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHONG ZT,CHEN ZG,XING YR,et al. INTERFACE REACTIONS AND VACUUM ANNEALING EFFECTS OF MBE AL/GAAS[J]. chinese physics,1986,6(4):1056-1061. |
| APA | ZHONG ZT,CHEN ZG,XING YR,SUN DZ,&SHEN GG.(1986).INTERFACE REACTIONS AND VACUUM ANNEALING EFFECTS OF MBE AL/GAAS.chinese physics,6(4),1056-1061. |
| MLA | ZHONG ZT,et al."INTERFACE REACTIONS AND VACUUM ANNEALING EFFECTS OF MBE AL/GAAS".chinese physics 6.4(1986):1056-1061. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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