GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑胜男; 阎建华; 王豫生; 李跃鑫; 谢葆珍; 莫培根 |
| 刊名 | 中国原子能科学研究院年报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 0页码:105 |
| 中文摘要 | GaAs中子嬗变掺杂可得到均匀分布的掺杂剂,对制备大功率高速电子器件有特殊意义。在热中子作用下,GaAs嬗变为稳定的Ge和Se在晶体作为施主杂质,但在辐照过程同时晶格原子受高能粒子反冲引起级联碰撞致使晶体结构造成严重辐射损伤,当 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220829]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑胜男,阎建华,王豫生,等. GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析[J]. 中国原子能科学研究院年报,1984(0):105. |
| APA | 郑胜男,阎建华,王豫生,李跃鑫,谢葆珍,&莫培根.(1984).GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析.中国原子能科学研究院年报(0),105. |
| MLA | 郑胜男,et al."GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析".中国原子能科学研究院年报 .0(1984):105. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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