用正电子湮没方法研究有机导体
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王蕴玉; 周光明; 朱道本 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 8页码:42-43 |
| 关键词 | 正电子湮没 有机导体 电荷转移复合物 |
| 通讯作者 | 王蕴玉 |
| 中文摘要 | 本工作用正电子湮没方法研究了几种新的电荷转移复合物型的有机导体。测定了在这些材料中正电子湮没的线形参数S、湮没寿命和3γ湮没相对产额。实验结果见下表。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220876]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王蕴玉,周光明,朱道本. 用正电子湮没方法研究有机导体[J]. 核技术,1985(8):42-43. |
| APA | 王蕴玉,周光明,&朱道本.(1985).用正电子湮没方法研究有机导体.核技术(8),42-43. |
| MLA | 王蕴玉,et al."用正电子湮没方法研究有机导体".核技术 .8(1985):42-43. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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