GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 熊兴民 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 4页码:459-465 |
| 关键词 | 晶体生长 正电子湮没 生长晶体 熔体生长 电子陷阱 晶体缺陷 液相外延生长 单晶生长 空位缺陷 元素半导体 |
| 其他题名 | A STUDY OF DEFECTS IN GaAs BY POSITRON ANNIHILATION |
| 通讯作者 | 熊兴民 |
| 中文摘要 | 本文介绍用正电子湮没寿命和多普勒加宽技术研究750—950℃掺Te液相外延生长的和1238℃熔体生长的GaAs晶体生长缺陷。在800—1238℃生长的晶体中都观测到312±11 ps的寿命组分π_2,其强度I_2,多普勒加宽S参数和按捕获模型计算的平均寿命τ都随晶体生长温度增高而增大。在掺Te外延晶体中,312ps寿命的正电子陷阱浓度随晶体生长温度增高而线性地增大,在熔体生长晶体中,该陷阱浓度低得多,远偏离以上线性关系。312 ps寿命归因于正电子在Ga空位湮没寿命,结果显示出掺Te在GaAs晶体中诱导Ga空位。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220924]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊兴民. GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究[J]. 高能物理与核物理,1986(4):459-465. |
| APA | 熊兴民.(1986).GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究.高能物理与核物理(4),459-465. |
| MLA | 熊兴民."GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究".高能物理与核物理 .4(1986):459-465. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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