ELECTRONIC-PROPERTIES OF AN ELECTRON-ATTRACTIVE COMPLEX NEUTRAL DEFECT IN GAAS
文献类型：期刊论文
| 作者 | MONEMAR B ; GISLASON HP ; CHEN WM ; WANG ZG |
| 刊名 | physical review b
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 卷号 | 33期号:6页码:4424-4427 |
| ISSN号 | 0163-1829 |
| 通讯作者 | monemar b linkoping univdept phys & measurement technols-58183 linkopingsweden |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14711]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MONEMAR B,GISLASON HP,CHEN WM,et al. ELECTRONIC-PROPERTIES OF AN ELECTRON-ATTRACTIVE COMPLEX NEUTRAL DEFECT IN GAAS[J]. physical review b,1986,33(6):4424-4427. |
| APA | MONEMAR B,GISLASON HP,CHEN WM,&WANG ZG.(1986).ELECTRONIC-PROPERTIES OF AN ELECTRON-ATTRACTIVE COMPLEX NEUTRAL DEFECT IN GAAS.physical review b,33(6),4424-4427. |
| MLA | MONEMAR B,et al."ELECTRONIC-PROPERTIES OF AN ELECTRON-ATTRACTIVE COMPLEX NEUTRAL DEFECT IN GAAS".physical review b 33.6(1986):4424-4427. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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