SICL4 REACTIVE ION ETCHING FOR GAAS OPTICAL WAVE-GUIDES
文献类型：期刊论文
| 作者 | SONEK GJ ; JIANZHONG L ; WOLF ED ; BALLANTYNE JM |
| 刊名 | journal of lightwave technology
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 卷号 | 3期号:5页码:1147-1150 |
| ISSN号 | 0733-8724 |
| 通讯作者 | sonek gj cornell univsch elect engn & field appl physithacany 14853 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14721]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SONEK GJ,JIANZHONG L,WOLF ED,et al. SICL4 REACTIVE ION ETCHING FOR GAAS OPTICAL WAVE-GUIDES[J]. journal of lightwave technology,1985,3(5):1147-1150. |
| APA | SONEK GJ,JIANZHONG L,WOLF ED,&BALLANTYNE JM.(1985).SICL4 REACTIVE ION ETCHING FOR GAAS OPTICAL WAVE-GUIDES.journal of lightwave technology,3(5),1147-1150. |
| MLA | SONEK GJ,et al."SICL4 REACTIVE ION ETCHING FOR GAAS OPTICAL WAVE-GUIDES".journal of lightwave technology 3.5(1985):1147-1150. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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