用正电子湮没方法研究快离子导体
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王蕴玉; 潘孝良; 雷振玺; 杨巨华
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 4页码:514-517 |
| 关键词 | 正电子湮没 快离子导体 三元体系 晶态 直线关系 离子传导 晶界效应 二元体系 正子素 能量分辨 |
| 其他题名 | STUDY OF FAST IONIC CONDUCTOR BY POSITRON ANNIHILATION |
| 通讯作者 | 王蕴玉 |
| 中文摘要 | 本文用正电子湮没方法研究了作为快离子导体的LiF-LiCl-B_2O_3,LiF-B_2O_3新体系。发现正电子湮没的中间成分的强度l_2与材料的电导率logσ之间有直线关系。配合湮没线形参数的测定结果,表明在微晶态三元体系LiF-LiCl-B_2O_3中,微晶与网络之间的晶界空位为锂离子传导提供了更多的导电通道,致使这类材料具有更好的导电性。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221014]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王蕴玉,潘孝良,雷振玺,等. 用正电子湮没方法研究快离子导体[J]. 物理学报,1987(4):514-517. |
| APA | 王蕴玉,潘孝良,雷振玺,&杨巨华.(1987).用正电子湮没方法研究快离子导体.物理学报(4),514-517. |
| MLA | 王蕴玉,et al."用正电子湮没方法研究快离子导体".物理学报 .4(1987):514-517. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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