A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS
文献类型：期刊论文
| 作者 | ZHAO XS ; LI GH ; HAN HX ; WANG ZP ; TANG RM ; CHE RZ |
| 刊名 | chinese physics
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 卷号 | 5期号:2页码:337-340 |
| ISSN号 | 0273-429x |
| 通讯作者 | zhao xs chinese acad sciinst semicondbeijingpeoples r china |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14725]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHAO XS,LI GH,HAN HX,et al. A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS[J]. chinese physics,1985,5(2):337-340. |
| APA | ZHAO XS,LI GH,HAN HX,WANG ZP,TANG RM,&CHE RZ.(1985).A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS.chinese physics,5(2),337-340. |
| MLA | ZHAO XS,et al."A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS".chinese physics 5.2(1985):337-340. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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