用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘世杰; 吴越; 盛康龙; 李春瑛 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 6页码:481-486 |
| 关键词 | 深度分辨率 氮化硅膜 淀积 探测深度 工艺条件 实验条件 探测灵敏度 射频功率 核反应分析 氢原子 |
| 其他题名 | ANALYSIS DEPTH PROFILING IN MATERALS BY ELASTIC RECOIL DETECTION |
| 通讯作者 | 刘世杰 |
| 中文摘要 | 利用2.0—2.5MeV He的弹性反冲探测方法,测量了二氧化硅和氮化硅膜层中的氢分布,并给出氢含量与淀积工艺条件的关系.讨论了在给定的实验条件下最大的探测深度、探测灵敏度极限和深度分辨率. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221086]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘世杰,吴越,盛康龙,等. 用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布[J]. 高能物理与核物理,1989(6):481-486. |
| APA | 刘世杰,吴越,盛康龙,&李春瑛.(1989).用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布.高能物理与核物理(6),481-486. |
| MLA | 刘世杰,et al."用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布".高能物理与核物理 .6(1989):481-486. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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