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LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS

文献类型:期刊论文

作者MONEMAR B ; GISLASON HP ; WANG ZG
刊名physical review b
出版日期1985
卷号31期号:12页码:7919-7924
ISSN号0163-1829
通讯作者monemar b linkoping inst technoldept phys & measurement technols-58183 linkopingsweden
学科主题半导体物理
收录类别SCI
语种英语
公开日期2010-11-15
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14741]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
MONEMAR B,GISLASON HP,WANG ZG. LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS[J]. physical review b,1985,31(12):7919-7924.
APA MONEMAR B,GISLASON HP,&WANG ZG.(1985).LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS.physical review b,31(12),7919-7924.
MLA MONEMAR B,et al."LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS".physical review b 31.12(1985):7919-7924.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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