LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS
文献类型：期刊论文
| 作者 | MONEMAR B ; GISLASON HP ; WANG ZG |
| 刊名 | physical review b
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 卷号 | 31期号:12页码:7919-7924 |
| ISSN号 | 0163-1829 |
| 通讯作者 | monemar b linkoping inst technoldept phys & measurement technols-58183 linkopingsweden |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14741]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MONEMAR B,GISLASON HP,WANG ZG. LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS[J]. physical review b,1985,31(12):7919-7924. |
| APA | MONEMAR B,GISLASON HP,&WANG ZG.(1985).LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS.physical review b,31(12),7919-7924. |
| MLA | MONEMAR B,et al."LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS".physical review b 31.12(1985):7919-7924. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。