LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS
文献类型:期刊论文
作者 | MONEMAR B ; GISLASON HP ; WANG ZG |
刊名 | physical review b
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出版日期 | 1985 |
卷号 | 31期号:12页码:7919-7924 |
ISSN号 | 0163-1829 |
通讯作者 | monemar b linkoping inst technoldept phys & measurement technols-58183 linkopingsweden |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2010-11-15 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14741] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | MONEMAR B,GISLASON HP,WANG ZG. LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS[J]. physical review b,1985,31(12):7919-7924. |
APA | MONEMAR B,GISLASON HP,&WANG ZG.(1985).LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS.physical review b,31(12),7919-7924. |
MLA | MONEMAR B,et al."LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS".physical review b 31.12(1985):7919-7924. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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