离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖光明; 殷士端; 张敬平; 范缇文; 刘家瑞; 丁爱菊; 周均铭; 朱沛然 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 11页码:866-870 |
| 关键词 | 离子注入 瞬态退火 卢瑟福背散射沟道 |
| 其他题名 | CRYSTALLINE QUALITY STUDY OF MBE GaAs-ON-Si THROUGH HIGH ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING |
| 通讯作者 | 肖光明 |
| 中文摘要 | 本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221114]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖光明,殷士端,张敬平,等. 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究[J]. 半导体学报,1990(11):866-870. |
| APA | 肖光明.,殷士端.,张敬平.,范缇文.,刘家瑞.,...&朱沛然.(1990).离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究.半导体学报(11),866-870. |
| MLA | 肖光明,et al."离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究".半导体学报 .11(1990):866-870. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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