LiNbO3 表面势抗屏蔽措施研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋燠 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 4页码:646-652 |
| 关键词 | 表面势 LiNbO_3 屏蔽措施 导体膜 表面电场 绝缘膜 电荷面密度 铁电晶体 接地导体 电荷分布 |
| 其他题名 | RESEARCH ABOUT SCREENRELIEF MEASURES FOR LiNbO3 SURFACE POTENTIAL |
| 通讯作者 | 宋燠 |
| 中文摘要 | 铁电单晶体自发极化引起的强周期性表面电场可能用来代替Wiggler磁铁产生自由电子激光。但落在铁电晶体表面上的自由电子将逐渐把表面势屏蔽掉。 本文提出一个抗屏蔽措施:在LiNbO_3极化晶面上每一个正极化畴区铺上一层绝缘膜,在上面再覆盖一层接地导体膜,可以防止电子对极化晶面的屏蔽。本文证明了在导体膜每部分两表面应电荷之和为零,落在上面的自由电子将立刻逃逸入地。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221201]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋燠. LiNbO3 表面势抗屏蔽措施研究[J]. 物理学报,1991(4):646-652. |
| APA | 宋燠.(1991).LiNbO3 表面势抗屏蔽措施研究.物理学报(4),646-652. |
| MLA | 宋燠."LiNbO3 表面势抗屏蔽措施研究".物理学报 .4(1991):646-652. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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