SURFACE DIPOLE AND FERMI-LEVEL POSITION ON CLEAN, OXYGEN-COVERED, AND WATER-COVERED CYLINDRICAL SI CRYSTALS - A PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDY
文献类型:期刊论文
作者 | RANKE W ; XING YR |
刊名 | physical review b
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出版日期 | 1985 |
卷号 | 31期号:4页码:2246-2253 |
ISSN号 | 0163-1829 |
通讯作者 | ranke w max planck gesellfritz haber instfaradayweg 4-6d-1000 berlin 33fed rep ger |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2010-11-15 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14761] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | RANKE W,XING YR. SURFACE DIPOLE AND FERMI-LEVEL POSITION ON CLEAN, OXYGEN-COVERED, AND WATER-COVERED CYLINDRICAL SI CRYSTALS - A PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDY[J]. physical review b,1985,31(4):2246-2253. |
APA | RANKE W,&XING YR.(1985).SURFACE DIPOLE AND FERMI-LEVEL POSITION ON CLEAN, OXYGEN-COVERED, AND WATER-COVERED CYLINDRICAL SI CRYSTALS - A PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDY.physical review b,31(4),2246-2253. |
MLA | RANKE W,et al."SURFACE DIPOLE AND FERMI-LEVEL POSITION ON CLEAN, OXYGEN-COVERED, AND WATER-COVERED CYLINDRICAL SI CRYSTALS - A PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY STUDY".physical review b 31.4(1985):2246-2253. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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