中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 熊兴民 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 3页码:151-155 |
| 关键词 | 中子辐照 空位缺陷 正电子捕获 |
| 其他题名 | TEMPERATURE DEPENDENCE OF POSITRON TRAPPING AT DEFECTS IN NEUTRON-IRRADIATED SILICON |
| 通讯作者 | 熊兴民 |
| 中文摘要 | 用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T~(-1.7)随温度变化。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221239]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊兴民. 中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应[J]. 核技术,1992(3):151-155. |
| APA | 熊兴民.(1992).中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应.核技术(3),151-155. |
| MLA | 熊兴民."中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应".核技术 .3(1992):151-155. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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