用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘亚雯; 吴强; 胡金生; 魏成连; 袁汉章; 朱腾; 闻莺 |
| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 21页码:1949-1951 |
| 关键词 | 同步辐射 X射线微荧光分析 生长界面 |
| 通讯作者 | 刘亚雯 |
| 中文摘要 | 半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221249]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘亚雯,吴强,胡金生,等. 用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布[J]. 科学通报,1992(21):1949-1951. |
| APA | 刘亚雯.,吴强.,胡金生.,魏成连.,袁汉章.,...&闻莺.(1992).用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布.科学通报(21),1949-1951. |
| MLA | 刘亚雯,et al."用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布".科学通报 .21(1992):1949-1951. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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