半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 闻莺; 袁汉章; 朱腾; 刘亚雯 |
| 刊名 | 分析试验室
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 3页码:77-80 |
| 关键词 | 同步辐射X荧光分析 半导体硅 掺杂元素 锗 微区分析 |
| 其他题名 | A STUDY ON MICROANALYSIS OF THE DOPING ELEMENT Ge IN Si SEMICONDUCTOR MATERIAL BY SRXRF |
| 中文摘要 | 本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ｇｅ在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明，在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布的不均匀性，掺杂元素向单晶中心区域富集，这一结果为新型半导体材料的研制和生产提供了有价值的信息。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221323]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闻莺,袁汉章,朱腾,等. 半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究[J]. 分析试验室,1994(3):77-80. |
| APA | 闻莺,袁汉章,朱腾,&刘亚雯.(1994).半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究.分析试验室(3),77-80. |
| MLA | 闻莺,et al."半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究".分析试验室 .3(1994):77-80. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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