用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴强; 刘亚雯; 魏成连; 袁汉章; 朱腾; 闻莺 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 8页码:476-480 |
| 关键词 | 同步辐射 X射线荧光微区分析 杂质As |
| 其他题名 | DETERMINATION OF AS IMPURITY IN SILICON CRYSTAL BY SYNCHROTRON RADIATION EXCITED X-RAY FLUORESCENCE MICRO-ANALYSIS |
| 通讯作者 | 吴强 |
| 中文摘要 | 利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221341]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴强,刘亚雯,魏成连,等. 用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As[J]. 核技术,1994(8):476-480. |
| APA | 吴强,刘亚雯,魏成连,袁汉章,朱腾,&闻莺.(1994).用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As.核技术(8),476-480. |
| MLA | 吴强,et al."用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As".核技术 .8(1994):476-480. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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