Ar气压强对溅射沉积的W／Si多层膜界面粗糙度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王凤平; 王佩璇; 崔明启 ; 方正知
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 1页码:53-57 |
| 关键词 | 磁控溅射 多层膜 小角X－射线衍射 界面粗糙度 |
| 其他题名 | THE EFFECT OF Ar PRESSURE ON INTERFACIAL ROUGHNESS FOR W/Si MULTILAYERS |
| 中文摘要 | 本文用磁控溅射方法制备了不同Ａｒ气压强下的Ｗ／Ｓｉ多层薄膜，并用小角Ｘ－射线衍射方法分析了膜层的周期结构和界面粗糙度，发现随Ａｒ气压强的增加界面粗糙度明显增加。文中对这一现象用成膜动力学理论进行了讨论。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221389]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王凤平,王佩璇,崔明启,等. Ar气压强对溅射沉积的W／Si多层膜界面粗糙度的影响[J]. 功能材料与器件学报,1995(1):53-57. |
| APA | 王凤平,王佩璇,崔明启,&方正知.(1995).Ar气压强对溅射沉积的W／Si多层膜界面粗糙度的影响.功能材料与器件学报(1),53-57. |
| MLA | 王凤平,et al."Ar气压强对溅射沉积的W／Si多层膜界面粗糙度的影响".功能材料与器件学报 .1(1995):53-57. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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