用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴强; 刘亚雯; 魏成连; 袁汉章 |
| 刊名 | 光谱学与光谱分析
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 2页码:99-103 |
| 关键词 | 同步辐射 X射线微荧光分析 杂质分布 |
| 其他题名 | A STUDY ON QUALITATIVE DISTRIBUTION OF IMPURITY Ge IN SILICON CRYSTAL BY X-RAY MICRO-FLUORESCENCE ANALYSIS |
| 通讯作者 | 吴强 |
| 中文摘要 | 用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221391]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴强,刘亚雯,魏成连,等. 用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布[J]. 光谱学与光谱分析,1995(2):99-103. |
| APA | 吴强,刘亚雯,魏成连,&袁汉章.(1995).用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布.光谱学与光谱分析(2),99-103. |
| MLA | 吴强,et al."用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布".光谱学与光谱分析 .2(1995):99-103. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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