用同步辐射XRF和基本参数法分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴强; 刘亚雯; 魏成连 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 4页码:224-226 |
| 关键词 | 基本参数法 同步辐射 X射线荧光分析 |
| 其他题名 | DETERMINATION OF IMPURITY Ge IN SILICON CRYSTAL BY SRXRF USING FUNDAMENTAL PARAMETER METHOD |
| 通讯作者 | 吴强 |
| 中文摘要 | 利用同步辐射Ｘ荧光分析技术，采用基本参数法，定量分析了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的含量。程序用标样进行了检验，误差小于１２％． |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221398]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴强,刘亚雯,魏成连. 用同步辐射XRF和基本参数法分析[J]. 核技术,1995(4):224-226. |
| APA | 吴强,刘亚雯,&魏成连.(1995).用同步辐射XRF和基本参数法分析.核技术(4),224-226. |
| MLA | 吴强,et al."用同步辐射XRF和基本参数法分析".核技术 .4(1995):224-226. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。