X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙宝银; 陈梦真; 朱樟震; 伊福廷
|
| 刊名 | 真空科学与技术
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 3页码:176-178 |
| 关键词 | 镂空硅掩模 X射线 深层光刻 同步辐射 |
| 其他题名 | APPLICATION OF X-RAY STENCIL SILICON MASK IN SYNCHROTRON RADIATION X-RAY DEEP LITHOGRAPHY |
| 中文摘要 | 阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221436]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙宝银,陈梦真,朱樟震,等. X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用[J]. 真空科学与技术,1995(3):176-178. |
| APA | 孙宝银,陈梦真,朱樟震,&伊福廷.(1995).X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用.真空科学与技术(3),176-178. |
| MLA | 孙宝银,et al."X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用".真空科学与技术 .3(1995):176-178. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。