掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄懋容; 王蕴玉; 杨巨华 ; 何永枢; 郭应焕; 孙同年
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| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 12页码:6 |
| 关键词 | 正电子湮没 InP半导体 温度 |
| 其他题名 | STUDY ON INP DOPED WITH SULPHUR AND UNDER DIFFERENT TEMPERATURES BY POSITRON ANNIHILATION |
| 通讯作者 | 黄懋容 |
| 中文摘要 | 用正电子湮设方法研究了掺硫的ＩｎＰ载流于浓度（ｎ）、迁移率和温度对空位浓度的影响，并讨论了它们对空位浓度影响的机理．探讨了空位类型。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221453]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄懋容,王蕴玉,杨巨华,等. 掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究[J]. 高能物理与核物理,1996(12):6. |
| APA | 黄懋容,王蕴玉,杨巨华,何永枢,郭应焕,&孙同年.(1996).掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究.高能物理与核物理(12),6. |
| MLA | 黄懋容,et al."掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究".高能物理与核物理 .12(1996):6. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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