用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄懋容; 王蕴玉; 杨巨华 ; 韩玉杰; 孙同年
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 7页码:395-399 |
| 关键词 | 正电子湮没 InP半导体 |
| 其他题名 | STUDY OF DOPED INP BY POSITRON ANNIHILATION LIFETIME TECHNIQUE |
| 通讯作者 | 黄懋容 |
| 中文摘要 | 用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221481]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄懋容,王蕴玉,杨巨华,等. 用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP[J]. 核技术,1996(7):395-399. |
| APA | 黄懋容,王蕴玉,杨巨华,韩玉杰,&孙同年.(1996).用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP.核技术(7),395-399. |
| MLA | 黄懋容,et al."用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP".核技术 .7(1996):395-399. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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